某傳感器制造商為了制備出具有高結晶度、大比表面積、排列規則的納米結構 WO3 薄膜, 經過對比選擇, 采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積設備鍍制 WO3 薄膜.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
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射頻離子源型號 |
RFICP380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
氣體傳感器可以將被檢測氣體的種類、濃度等信息轉變為可測信號, 并將計算機與被檢測到的信號連接口相連接, 構成自動的監控、檢測和報警系統. 氧化鎢薄膜可以吸附各種氣體, 從而導致薄膜的電阻或光學參數的變化, 常常應用于氣體傳感器**域.
KRI 離子源的**特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
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