純 Ti 薄膜具有**異的力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、生物相容性和良好的抗摩擦磨損性, 被廣泛應(yīng)用于航空航天、醫(yī)療器械、光學(xué)和微電子器件等**域, 因此具有重要的研究價(jià)值.
西安某大學(xué)實(shí)驗(yàn)室在納米純 Ti 薄膜的研究中, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積納米純 Ti 薄膜, 制備出的純Ti薄膜可集膜層致密光滑、沉積速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等**點(diǎn).
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號(hào)
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RFICP220
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Discharge
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RFICP 射頻
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離子束流
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>800 mA
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離子動(dòng)能
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100-1200 V
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柵極直徑
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20 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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10-40 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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長度
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30 cm
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直徑
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41 cm
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中和器
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LFN 2000
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* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
該濺射沉積是在真空度為 9×10-5Pa—3×10-4Pa 的真空腔里, 通入氣流量為 70ml/min 的氬氣, 利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 產(chǎn)生的氬離子轟擊靶材, 濺射沉積 Ti 膜層, 鍍膜持續(xù)時(shí)間30～90min; 完成鍍膜的樣品待冷卻后, 取出.
KRI 離子源的**特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
因此, 該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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