國內某大學采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140  作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經過高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導薄膜. 用這種方法所獲得的超導薄膜的原子組分的調整比較方便,對于 Nb3Sn 的研究較為有利. 實驗測量了樣品的超導參數和晶格參數.

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:

Nb3Sn 超導薄膜樣品的實驗研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進行的, 采用鈮濺射源和錫濺射源交替對樣品進行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因為錫的熔點低. 退火采用電爐絲.

濺射沉積的過程是, ****在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然后以固定速度旋轉樣品固定板,使得樣品交替面對鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結構, **后再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.

KRI 離子源的**特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

KRI 離子源是**域公認的**導者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.

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