KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強(qiáng)大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體
KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 與 eh 1000 對(duì)比, 提供更高的離子輸出電流
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), **大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術(shù)參數(shù)
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型號(hào)
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eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
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供電
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DC magnetic confinement
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- 電壓
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40-300V VDC
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- 離子源直徑
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~ 5 cm
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- 陽極結(jié)構(gòu)
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模塊化
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電源控制
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eHx-30010A
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配置
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- 陰極中和器
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Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
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- 離子束發(fā)散角度
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> 45° (hwhm)
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- 陽極
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標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
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- 水冷
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前板水冷
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- 底座
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移動(dòng)或快接法蘭
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- 高度
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4.0'
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- 直徑
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5.7'
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- 加工材料
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金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體
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- 工藝氣體
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Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
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- 安裝距離
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16-45”
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- 自動(dòng)控制
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控制4種氣體
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* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH2000 應(yīng)用**域
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清洗 Load lock preclean
• 預(yù)清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
[誠信檔案]
