ZEM-5HT

ZEM-5HR

ZEM-5LT

ZEM-5TF

特　　點(diǎn)

高溫型

高電阻型

**大電阻：10MΩ

低中溫型

薄膜型

可測(cè)在基板上形成的熱電薄膜

溫度范圍

RT-1200℃

RT-800℃

-150℃-200℃

RT-500℃

樣品尺寸

直徑或正方形：2 to 4 mm² ；

長(zhǎng)度3 ～ 15mm

成膜基板：寬2-4mm，厚0.4-12mm，長(zhǎng)20mm

薄膜厚度：≥nm量級(jí)

薄膜樣品與基板要求**緣

控溫精度

                                       ±0.5K

測(cè)量精度

                塞貝克系數(shù)：＜±７％；　　　　   電阻系數(shù)：＜±７％

測(cè)量原理

                塞貝克系數(shù)：靜態(tài)直流電；           電阻系數(shù)：四端法

測(cè)量范圍

              塞貝克系數(shù)：0.5μV/K_25V/K；     電阻系數(shù)：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ

分辨率

                塞貝克系數(shù)：10nV/K；             電阻系數(shù)：10nOhm

氣　　氛

減壓Ｈｅ